fga25n120驱动电压（igbt25n120驱动电压）

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FGA25N120是什么三极管

fga25n120是一款功率三极管，用于电子设备的功率放大和开关控制。要测量该三极管的特性，首先需要准备一个万用表和一台电源，以及连接线。将三极管的引脚与连接线相连，然后将连接线的另一端分别连接到电源的正极和负极上。设置万用表为电流测量模式，并将连接线与万用表的电流测量口相连。

FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

查看型号信息，FGA25N120属于场效应管，其额定电压为1200V，额定电流为25A。而23N60的额定电压也是600V，额定电流为23A。由此可知，FGA25N120的电压和电流参数均高于23N60。因此，使用FGA25N120替代23N60是可以的。

FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

FGA25N120的放大原理是：用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

FGA25N120电磁炉功率管工作原理

然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压vds和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。

FGA25N120的放大原理是：用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

加热线圈产生电磁场，是一种把电流转化为电磁场的部件。IGBT大功率管开关器件，是电磁炉的核心部件。整流桥：把220V交流电变换成+300V直流电。5uF滤波电容：+300V直流滤波电容。0.27uF谐振电容。

FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

电磁炉开机大约2分钟烧25N120怎么回事请大师们指点谢谢

1、有以下几种原因：IGBT和原机型号不一样，比如25N120和20R120互相代换虽然能工作，但是易烧毁。

2、这个是IGBT功率管，烧它的同时，保险管也同步烧坏，IGBT短路的原因，检查几个大电容器，2UF，5UF，0.3UF容量是否合适，电容引脚、康铜丝引脚是否开焊，同时检查整流桥是否烧坏。

3、插不好电源，造成2次启动。需注意要先插好电磁炉的插头，再按插座的开关送电，就不会出现烧功率管的现象。

4、朋友，你电磁炉老烧保险，说明内部存在超温保护或者不稳定现象啊，比如消谐电容容量不足等。FGA25N120这个是IGBT功率管啊。只要使用同型号对应拆换就可以的。

格兰仕电磁炉,H20R1202坏了,能用FGA25N120代替需要改件吗?

1、格兰仕电磁炉里面的H20R1202坏了，能用FGA25N120代替，不需要改件的。H20R1202与FGA25N120都是电磁炉经常使用的IGBT管。H20R1202的主要参数是：最大连续电流Ic=20A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。FGA25N120的主要参数是：最大连续电流Ic=25A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。

2、可以代用。因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IGBT功率管时，最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管。如果用不含阻尼二极管IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应该在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。

3、这两者都是用于电磁炉的大功率场效应管，其反向耐压均为1200V，但H20R120的电流是20A，而FGA15N120的电流是15A，若从可靠性角度考虑，以FGA25N120代换H20R120更稳妥。

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