if电容的电压（电容电压怎么表示）

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db104s整流桥参数

正向整流电流1A，反向峰值电压400v。VR（V）最高反向峰值电压：400V。IF（A）最大平均整流电流：1A。IFSM（A）最大峰值浪涌电流：50A，IR（μA）最大反向漏电流：10μA。VF（V）正向压降：1V。CJ（PF）典型结电容：PF。主要应用领域：LED灯整流，手机充电器，家用小家电，小功率开关电源等领域。

DB101S、DB102S、DB103S、DB104S、DB105S、DB106S、DB107S。DB151S、DB152S、DB153S、DB154S、DB155S、DB156S、DB157S。圆桥系列 W00W0W0W0W0W0W 2W002W02W02W02W02W02W10。板桥系列 DB10DB10DB10DB10DB10DB10DB107。

KBPC2510是25A、1000V的意思。整流桥封装有四种：方桥、扁桥、圆桥、贴片MINI桥。方桥主要封装有（BRBRBRGBPC、KBPC、KBPC-W、GBPC-W、MT-35（三相桥）。扁桥主要封装有（KBP、KBL、KBU、KBJ、GBU、GBJ、D3K）。圆桥主要封装有（WOB、WOM、RB-1）。

rc吸收电路的参数选择

1、选用5mF，1kv 的电容器 电阻的选择：R=（2-4）×535）If=14-56 选择10欧 PR=（5×（pfv×2πfc）的平方×10的负12次方×R）2 Pfv=2u（5-0）u=三相电压的有效值 阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

2、推荐选用39Ω/10W的电阻和0.1μf/630V的电容构建RC吸收电路，以保护可控硅免受过冲电压的影响。具体参数的选择需要考虑可控硅的特性参数及回路要求的关断过冲情况。一般来说，电容值C的选择应当更大一些，从而使得可控硅的耐压可以相对低一些。

3、考虑到功率和稳定性，一般会选择10 Ω的电阻。此外，PR的计算还需要考虑电源频率等因素。在实际应用中，阻容吸收回路的时间常数通常在1到10毫秒之间。对于小功率负载，如接触器线圈和小于10A电流的可控硅，可以选择R=220 Ω， 1W的电阻和C=0.01 μF， 400~630V的电容，时间常数约为2毫秒。

4、在RC吸收电路中，主要参数包括L（变压器漏感及元器件引线电感之和）、R、C（吸收电阻电容）、D、Cd（整流二极管及其结电容）、Q、Coss（开关MOSFET及其结电容）。电路中，开关管在导通至截止过程中，漏感L的存在需要通过R、C吸收其能量，避免尖峰电压影响元件可靠性与EMI问题。

二极管参数大全

1、Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。

2、不同类型的二极管有不同的特性参数。选用二极管必须了解以下几个主要参数：最大整流电流IF：二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。

3、二极管RL207最大重复峰值反向电压：1000V，最大正向平均整流电流：2A。二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。

4、二极管允许的最大功率是其额定电压和额定电流的乘积。超过此值可能导致二极管损坏。 频率响应特性 二极管在不同频率下的性能表现是不同的。某些二极管专为高频设计，而其他类型的二极管适用于低频电路。 结电容和反向恢复电荷 结电容和反向恢复电荷影响二极管的开关速度。这些参数对于高频应用尤为重要。

5、参数：CT---势垒电容、Cj---结（）电容；表示在二极管两端加规定偏压下检波二极管电容、Cjv---偏压结电容、Co---零偏压。电容用来表示二极管的性能好坏和适用范围的指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。

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