电压门限电路（门限电压的作用）

频道：其他日期：2025-02-28 00:34:27 浏览：5

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1、门限电路就是与一个或多个门限电压相比较的电路，供比较的基准电平就称为门限电平，如史密斯触发器就有上，下限的两个门限电平。门限电路提供电压比较，选择适合的电压通过，在一定范围内的选择性电路。是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路。

2、可以这样理解，即是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路，因为不知道这里说的正弦波的幅度范围是多少，即要将这个信号转换到0和5v。

3、而Vi=-3V时，V+=0V（串联电阻R1=R2=10千欧）；Vi-3V时，V+0V；Vi-3V时，V+0V。因此，门限电压VT为-3V。整个电路的传输特性曲线如下图所示。

1、我们将比较器的输出电压从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入电压的值，被称为门限电压。或阈值电压，简称为：阈值，用符号UTH表示。

2、二极管对这个“正向电压”是有要求的，就是要能“正”到它能导通的程度它才导通，低于它的导通电压值它也不导通，这个能让它导通的电压就叫门限电压，对于硅管是0.7v，锗管是0.2v。就是硅二极管的正向电压高于0.7v它才导通，锗管高于0.2v时导通。

3、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门，电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。

4、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。

而Vi=-3V时，V+=0V（串联电阻R1=R2=10千欧）；Vi-3V时，V+0V；Vi-3V时，V+0V。因此，门限电压VT为-3V。整个电路的传输特性曲线如下图所示。

门限电路就是与一个或多个门限电压相比较的电路，供比较的基准电平就称为门限电平，如史密斯触发器就有上，下限的两个门限电平。门限电路提供电压比较，选择适合的电压通过，在一定范围内的选择性电路。是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路。

可以这样理解，即是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路，因为不知道这里说的正弦波的幅度范围是多少，即要将这个信号转换到0和5v。

二极管对这个“正向电压”是有要求的，就是要能“正”到它能导通的程度它才导通，低于它的导通电压值它也不导通，这个能让它导通的电压就叫门限电压，对于硅管是0.7v，锗管是0.2v。就是硅二极管的正向电压高于0.7v它才导通，锗管高于0.2v时导通。

电压门限电路（门限电压的作用）