二极管死区电压（压降小的二极管）
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什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压
1、二极管的死区电压是指二极管在正向偏置时，其正向电压达到一定程度后才开始导通的电压值。以下是关于二极管死区电压的 死区电压的基本概念 在电子学中，二极管的死区电压是与二极管性能特性紧密相关的一个重要参数。
2、所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。
3、死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。
4、死区电压是指二极管在加正向电压时，必须达到一定的电压值才会开始导通，这个电压值被称为死区电压。当外加的正向电压较低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，因此正向电流很小，几乎为零。只有当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长速度显著加快。
什么是二极管死区电压和反向击穿区电压
反向击穿电压是指二极管在反向击穿时所达到的电压值。在反向击穿过程中，反向电流会急剧增加，导致二极管的单向导电性被破坏，甚至可能因过热而损坏。手册中给出的最高反向工作电压VBWM通常是反向击穿电压VBR的一半。理解死区电压和反向击穿电压对于设计和优化电路至关重要，它们直接影响到电路的性能和可靠性。
死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。
这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。
二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。
二极管的死区电压是多少?
对于硅二极管，死区电压通常在0.5到0.7伏特之间，最常见的数值是约0.6伏特。这个范围可以根据制造工艺、温度和其他因素而略有不同。对于锗二极管，其死区电压较低，一般在0.2到0.3伏特之间。
理想状态下，死区电压应为零，正向压降也应为零。然而，在实际应用中，不同类型的二极管具有不同的死区电压和正向压降。硅二极管的死区电压通常为0.5V，正向压降则在0.6至0.7V之间。相比之下，锗二极管的死区电压约为0.1V，正向压降则在0.2至0.3V之间。
通常情况下，锗管的死区电压约为0.2V，而硅管的死区电压约为0.5V。这两个数值反映了不同材料在导通特性上的差异。死区电压在不同的应用场合下也有不同的称呼，例如在某些情况下它也被称作开启电压。硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，其中硅管使用更为广泛。
硅二极管的死区电压通常为0.5伏，这是指二极管从截止状态转换到导通状态所需的最小正向电压。当二极管的正向电压达到0.7伏时，二极管开始导通，此时的电压被称为导通压降。相比之下，锗二极管的死区电压较低，一般为0.1伏。这意味着锗二极管在较低的正向电压下就能从截止状态转变为导通状态。
二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压！0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
硅材料二极管的导通压降通常为0.7伏，而死区电压则为0.5伏。在反向偏置状态下，二极管的电阻会显示为无穷大。正向偏置时，二极管的电阻则根据二极管的品质不同，其值可能在几百到几千欧姆之间变化。值得注意的是，不同型号的二极管具有不同的参数，因此在测量时需选择适当的测量方法。
