关于三极管be电压的信息
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有电压怎么判断三极管的三个电极
1、知道三极管的3个管脚的电压，判断它的管脚的极性 例：1脚为5V，2脚为2V，3脚为4V 解：从例子看很明显是一个NPN型硅三极管：1脚为c，2脚为b，3脚为e.原因很简单：因为三极管中be的电压：硅管为0.6左右，锗管0.2左右（现在使用的98%都是硅管。
2、看C的电位比这两脚高还是低，如果C的电位高，就是NPN型管，电位最低的是E，另一个就是B；如果C的电位低，就是PNP型管，电位最高的是E，B就不说了。
3、三极管类型确认：观察三个电极的电压关系，可以帮助判断三极管的类型。NPN型三极管中，集电极Vc的电压最高，发射极Ve的电压最低，基极Vb的电压介于Vc和Ve之间，通常比Ve高出0.7伏或0.2伏。
4、三极管截止时，硅管的Ube小于0.5V，锗管的小于0.1V 这几条就是判别管子是何种管子和工作状态的依据。
5、在三极管正确偏置的条件下；将三个电压值由高到低排序，那么中间电压的那个就是基极；然后看中间和两端的电压差，如果与最低那个电压之差=0.7V，这个就是NPN型的，最低电压的就是发射极。如果与最高那个电压之差=0.7V，这个就是PNP型的，最高电压的就是集电极。
三极管BE结的V和E分别是什么电压?
1、BE结应该在0-0.7V之间，V1和V2压差0.3V，所以应该是B和E，V3肯定是C，根据其极性方向可以判断这是一个PNP管，C的电压低于B和E。如果C的电压高于B和E，则应为NPN管。所以有了NPN和PNP管的分别，V1和V2哪个是B哪个是E也就清楚了。V1 ＝ 2V，V2 ＝ 8V，V3 = 3V。
2、V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
3、例：1脚为5V，2脚为2V，3脚为4V 解：从例子看很明显是一个NPN型硅三极管：1脚为c，2脚为b，3脚为e.原因很简单：因为三极管中be的电压：硅管为0.6左右，锗管0.2左右（现在使用的98%都是硅管。）本例：0.6（2-4）硅管 由于前面知道了压差，由此可以判别基极b和发射极e。
4、NPN加正电压，PNP加负电压。击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。
5、三极管的cbe分别代表发射极，基极，集电极。E截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。相当于一个打开的开关。
三极管BE极电压负电
1、PNP三极管所使用的电源是负电源，BE为-0.52V可认为基本导通（因各种管子的导通电压不同），BC为-5V可认为是正常工作需要的反偏，因为PNP管子使用的负电压，CE为8V就不能理解，不可能出现这种情况，请再测量一下。
2、如果说E极是零电位，会使得三极管发射结反偏，三极管处于截止状态，这样E极的电位就是0电位；如果该点电位也是负电压且低于B极的负电压使发射结正偏导通，三极管处于放大状态，那么此时E极输出的电流则是B极和C极电流之和，如果没有集电极电阻分压的话，输出电压的大小取决于B极电压的变化。
3、NPN加正电压，PNP加负电压。\x0d\x0a 击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。
4、NPN加正电压，PNP加负电压。击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。
5、NPN型管c加正电，E加负电，b加正电偏置cE极导通。pNP型相反，c加负电，E加正电，b加负电偏置，cE极导通。在共发射电路b输入1mA电流，cE之间有50mA电流通过，这管子的放大倍数是50。在实际应用中要根据电路要求设置偏流，使三极管工作在截止区，放大区，和饱和区。详细情况找一找资料。
三极管的电压关系是什么?
1、NPN的电压关系：CBE PNP的电压关系：CBE 当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。
2、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
3、三极管是一种半导体器件，通常由三个区域（P-N-P或N-P-N）组成。根据三极管的工作原理和不同的工作状态，各极电压的大小关系如下：放大状态时，基极电压较低，发射极电压较低，而集电极电压较高，一般情况下，三极管的电压放大倍数为其集电极电压与发射极电压之比。
三极管加入小信号后BE两端的电压是多少
1、加入小信号后三极管BE的两端电压仍为0.7V左右。这是由PN结的特性所决定的：PN结导通后的电流可以变化很大，但它的压降却变化极小。事实上，三极管作为一个电流放大器件，基极小信号的加入（交流或直流），只是影响了基极电流的大小，从而影响三极管集电极电流的大幅变化。
2、锗管be在0.2左右，硅管be在0.7左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是NPN管，此时另两极中电压较高的是b。3：当c极电压低于其他两极说明是PNP管，此时另两极中电压较低的是b。
3、如果我们分析三极管小信号等效电路可以发现，其基极到发射极存在两个电阻，一个电阻rbe‘用于表示PN结0.7V左右的势垒，而另外一个电阻rbb’则表示基极的输入电阻。因此，在三极管不至于烧坏的情况下，其be输入电压是多少，be电压就是多少。
4、逻辑问题。二极管U-I曲线看到了吗？一个U对应一个I。BE电压不是固定的。BE是个可变电阻。从设计电路的角度。第一步，确定Ic的工作电流大小。根据β反推Ib电流。然后根据Ib电流，用外电路根据Ube-I被设置be二极管的压降。比如，我要Ic工作在10ma，反推Ib=10/β=0.1ma。查三极管的BE二极管曲线。
