死区电压门槛电压（死区电压随温度的变化）
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硅二极管的死区电压是多少
硅二极管的死区电压通常是0.5V左右。详细解释如下：死区电压，也被称为门槛电压或开启电压，是二极管开始导通前必须克服的电压。对于硅材料制成的二极管，这个电压大约是0.5V。当二极管两端的正向电压小于这个值时，二极管基本上不导电，处于截止状态。
硅二极管的死区电压一般为0.7V，而锗二极管的死区电压一般为0.3V。正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。
一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少。
硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。
什么是死区电压?
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。
死区电压是指在电力系统的开关设备中，由于触点接触不良或机械传动等原因而产生的一种特殊现象。是指在开关操作时，当一个触点处于断开状态，另一个触点刚接触时，两个触点之间会存在一个很短的时间间隔，这个时间间隔被称为死区时间，也伴随着一个死区电压。
死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压。死区电压本质上也就是二极管的开启电压。
从供电电压经过零点直至波形残缺消失的这段电压即为死区电压。本质上，死区电压可以视为二极管的开启电压。当向二极管施加正向电压时，二极管会产生正向电流。但在正向电压较低的情况下，外加电场无法克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，此时正向电流非常微小，二极管呈现高电阻状态。
三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。
二极管的死区电压是指二极管在正向偏置时，其正向电压达到一定程度后才开始导通的电压值。以下是关于二极管死区电压的 死区电压的基本概念 在电子学中，二极管的死区电压是与二极管性能特性紧密相关的一个重要参数。
关于二极管的死区电压和导通压降
1、因为实际应用的二极管并不是理想的，所以会有门槛电压和通态压降。将二极管伏安特性的线性部分用切线来替代，切线与电压轴的交点，被定义为门槛电压，有时称为 “死区电压”；当二极管的电流达到额定电流时，二极管两端的电压降称为通态压降。
2、死区电压与导通压降的区别请看图。只有当正向压降超过死区电压时二极管才有电流。二极管导通后其压降即为导通压降，不是一个定值，有一个范围，这个电压到底多大，要看为二极管设置了多大的电流，这个电流由串联电阻决定，i=（U-UF）/R。
3、Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
4、二极管的死区电压，就是说低于驱动二极管的电压，各种二极管的阈值是不一样的，而管压降，说白了，就是指加在二极管中上的电压。这时你就把二极管看作一个特殊的电阻就是了，这里的特殊，是指加在它身上的电压不会超过0.7v。
5、在二极管在施加正向电压时，当电压大于一定值时二极管开始导通，这个电压叫开启电压，也称其为导通电压的。二极管死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。二极管在导通后，有一个电流随电压改变的关系，这一段的电压称正向压降，也有称其为导通电压的。
二级管的死区电压定义
二极管的死区电压是指二极管在正向偏置时，其正向电压达到一定程度后才开始导通的电压值。以下是关于二极管死区电压的 死区电压的基本概念 在电子学中，二极管的死区电压是与二极管性能特性紧密相关的一个重要参数。
死区电压，也被称作开启电压，是指在二极管的正负极间施加电压后，当电压超过一定阈值时，二极管开始导通。对于锗管而言，这一阈值约为0.1V，而对于硅管，则约为0.5V。在实际应用中，当二极管用于特定电路时，由于其固有的电压降，如果供电电压低于一定范围，二极管将不会导通，从而导致输出波形的不完整。
二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
死区电压是指二极管在加正向电压时，必须达到一定的电压值才会开始导通，这个电压值被称为死区电压。当外加的正向电压较低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，因此正向电流很小，几乎为零。只有当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长速度显著加快。
二极管的死区电压通常指的是二极管从截止状态转变为导通状态所需的最小正向偏置电压。这个阈值可以被认为是二极管开始显著传导电流的电压点。对于硅二极管，死区电压通常在0.5到0.7伏特之间，最常见的数值是约0.6伏特。这个范围可以根据制造工艺、温度和其他因素而略有不同。
