常数电压法测阈值电压（阈值电压表达式）

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igbt损坏如何检测

IGBT损坏可以通过多种方法进行检测。首先，进行外观检查。检查IGBT模块的外壳是否有破损、裂缝或烧蚀痕迹，散热片是否有异常或过度磨损，连接端子和焊点是否完好，以及是否有过热或氧化的迹象。这些物理损坏迹象通常能直观地反映IGBT模块的工作状态。其次，进行静态参数测量。

使用指针式万用表检测IGBT 在判断IGBT好坏时，务必将万用表拨至R×10KΩ挡，因为R×1KΩ挡及以下档位的万用表内部电池电压较低，无法使IGBT导通，从而无法判断其好坏。此方法也适用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

判断IGBT模块是否损坏，一般需要先对其进行检测，igbt模块的检测一般分为两部分：判断极性 首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

首先，进行外观检查。观察IGBT模块是否有明显的烧黑、炸裂、变形等现象，同时检查连接线是否松动或断开。这些直观的物理检查可以初步判断IGBT模块是否存在明显的损坏。其次，进行静态测试。使用万用表测量IGBT的集电极-发射极电阻、栅极-发射极电阻等参数。

判断IGBT模块是否损坏，需先检测其极性。将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极。测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极；黑表笔接地为发射极。

然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ） ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。

如何使用示波器测量阈值电压

1、使用示波器测量阈值电压的方法如下：首先示波器钩针接被测电压，黑色的夹子夹“被测电压的地”（使示波器和被测电压有一个公共的参考点）。其次示波器的探头通常有“1”和“10”两种衰减形式，“1”情况下不进行衰减。

2、使用示波器测定施密特触发器的电压传输特性曲线的方法是双踪显示，具体步骤如下：将两路信号在示波器上调到一起，其中一路显示输入信号，另一路显示输出信号。调整示波器，尽量把波形展开一些，以更清楚地观察波形。观察示波器上输入和输出信号的跳变情况，读取输入信号的幅值，即可得到上下阈值电压。

3、使用万用表测试电阻情况：将万用表调至电阻测试档位，将正极接在MOSFET的源极上，将负极接在漏极上，此时如果MOSFET正常，万用表应该显示一个较小的电阻值。 使用示波器测试电压波形：将MOSFET连接到电路中，使用示波器测试其漏极和源极之间的电压波形，如果波形正常，说明MOSFET工作正常。

4、使用示波器双踪显示。用示波器测定施密特触发器的电压传输特性曲线的方法是使用示波器双踪显示，一路显示输入，一路显示输出。把两路信号在示波器上调到一起，输出发生跳变的瞬间读取输入信号的幅值，就可达到上下阈值电压。双踪显示的时候，尽量把波形展开一些，会看的更清楚。

5、比如说，如果只是简单的测量直流电压，那么1 MΩ的无源探头基本就足够了。然而如果是电源系统测试中经常要求测量的三相供电中的火线与火线，或者火线与零（中）线的相对电压差，那么我们就需要用到差分探头了。 差分探头 无源探头 无源探头是最常见的探头，一般购买示波器的时候厂家就会标配几个。

如何判断二极管是否导通?

观察二极管两端电位：如果二极管正极的电位高于负极电位0.6V以上，那么二极管是导通的；如果正极电位低于负极电位，那么二极管是截止的。使用电阻法：将二极管连接到一个适当的电路中，并使用万用表或电阻表测量二极管的正向电阻和反向电阻。

二极管的导通和截止状态可以通过以下方法判断：正向偏置：将二极管的正极连接到电源的正极，负极连接到电源的负极。此时二极管处于正向偏置状态，如果二极管的导通电压低于电源电压，则二极管导通，此时电流从正极流向负极，电压降低；如果二极管的导通电压高于电源电压，则二极管截止，此时没有电流通过二极管。

二极管外加正向电压。外加反向电压无法导通的。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

判断二极管是否导通，通常可以通过以下方法进行：正向偏置测试：将一个简单的电源（例如电池或稳压电源）连接到二极管的两端。确保二极管的阳极（通常标有环形标记或者带线的一端为负极，也称作阴极）与电源的正极相连，而二极管的阴极与电源的负极相连。这就是正向偏置状态。

导通电压、电源电压。当二极管处于正向偏置状态时，其导通电压低于电源电压，二极管导通，电流从正极流向负极，电压降低。二极管的导通电压高于电源电压，二极管截止。当二极管处于反向偏置状态时，其反向击穿电压高于电源电压，二极管出现击穿现象，导通。反向击穿电压低于电源电压，二极管处于截止状态。

首先分析二极管开路时，管子两端的电位差，从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。若是反向电压，则说明二极管处于截止状态。若是正向电压，但正向电压小于二极管的死区电压，则说明二极管仍然处于截止状态；只有当正向电压大于死区电压时，二极管才能导通。

跨导外推法测阈值电压

1、跨导外推法是一种常用于测量场效应晶体管（FET）的阈值电压的方法。阈值电压是指在FET中，输入电压达到一定程度时，导致输出电流开始出现显著变化的电压值。跨导外推法基于FET的特性曲线，通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。

2、阈值电压计算公式为Vth = Vt0 + γ（2φf – Vt0），其中Vt0是零偏电压，γ是斜率系数，φf是费米势，这些参数与材料特性紧密相关。阈值电压随栅氧厚度、沟道区掺杂浓度的增加而提高，界面态电荷的增大亦会导致其上升。

3、在MOSFET中，计算跨导（g）主要通过偏导数方法进行。首先，需要确定MOSFET的工作区域。若Vds小于Vgs减去阈值电压Vt（case1，线性区），跨导g可以表示为：g = u*Cox*（W/L） * [（Vgs-Vt）*Vds - 0.5（Vds^2）]，其中u是迁移率，Cox是单位栅电容，W和L是MOSFET的宽度和长度。

4、为了进一步确认MOS管的好坏，还可以使用专业的半导体测试仪器进行更精确的测量。这些仪器可以对MOS管的各项参数进行详细的测试，包括阈值电压、跨导、漏电流等，从而更准确地判断MOS管的工作状态。需要注意的是，MOS管的损坏可能由多种原因引起，例如过压、过流、静电击穿等。

5、跨导gfs是衡量漏极电流对栅源偏压变化敏感度的一种方法，与栅极宽度有关，随着单元密度增大而增大。阈值电压Vth指使多晶硅下方的半导体表面强力反转并在源漏区之间形成导电沟道所需的最小栅极偏压，一般在漏源电流为250μA时测量。二极管正向电压VF是在规定源电流下，产生的体二极管的最大正向压降。

测量放电管好坏简单方法

直流击穿电压：在陶瓷气体放电管上施加一低上升速率dv/dt=100 伏/秒的直流电压﹐使其发生击穿的电压值称为阈值电压或击穿电压。冲击击穿电压：在陶瓷气体放电管上施加一上升速率为dv/dt=100V/μs 和1KV/μs 的冲击电压﹐气体放电管发生击穿时的电压值称为冲击击穿电压。

通过直流击穿电压来判断，在陶瓷气体放电管上施加上升速率100伏每秒的直流电压，使其发生击穿的电压值称为阈值电压或击穿电压来判断好坏。通过陶瓷气体放电管放电间隙的冲击电流的峰值来判断好坏。测试陶瓷气体放电管能承受的最大交流电压来判断好坏。

用防雷元件测试仪来测试标称直流击穿电压参数，以此可以判断好坏。气体放电管是一种开关型保护器件，工作原理是气体放电。当两极间电压足够大时，极间间隙将放电击穿，由原来的绝缘状态转化为导电状态，类似短路。导电状态下两极间维持的电压很低，一般在20～50V，因此可以起到保护后级电路的效果。