pmos源电压小于衬底电压（pmos衬底电压和阈值电压的关系）

本文目录一览：

• 1、PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
• 2、pmos电压
• 3、体效应(衬偏效应)
• 4、pmos为什么没有体效应?

PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别

1、PMOS，NMOS，CMOS，BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面 导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

2、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。

3、NMOS和PMOS是两种不同的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型，主要区别在于它们的通道类型。 NMOS具有N型通道，而PMOS具有P型通道。这意味着NMOS在栅极施加正电压时导通，而PMOS在栅极施加负电压时导通。 在应用中，NMOS通常用于高电平开关，而PMOS通常用于低电平开关。

4、NMOS是一种N型半导体MOSFET，其主要由N型材料制成。当栅极电压为正电压时，NMOS处于导通状态，栅极电压为负电压时，NMOS处于截止状态。NMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为正值时，NMOS导通。NMOS也用于逻辑电路中，通常与PMOS一起使用，以实现CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑。

pmos电压

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

在电源设备中，PMOS管常作为开关使用。当负载为大容性负载时，在PMOS开通瞬间，前级电源电压会突然降低。这是由于开关速度过快，导致在PMOS开启时，充电电流过大，使得前级电源难以及时提供足够的电压。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。

pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。

体效应(衬偏效应)

表现为耗尽层拓宽和阈值电压提升：体效应导致的阈值电压升高，直接影响了器件的开关速度和带宽。这些关键特性与器件的电荷控制密切相关。 衬偏效应的强度与衬底掺杂有关：在典型的CMOS工艺中，PMOS的衬偏效应比NMOS更强，因为高掺杂的n阱能更好地控制电压，与衬底的隔离更明显。

衬偏电压的引入对器件性能产生影响，这种效应被称为衬偏效应或MOSFET的体效应。它类似于JFET的功能，通过沟道-衬底的场感应p-n结作为“栅极”，从下方控制MOSFET的输出电流Ids。因此，带有衬偏电压的MOSFET在本质上可以视为MOSFET和JFET的组合，其中JFET的作用体现在MOSFET的体效应中。

简言之，衬偏电压就是为了防止MOSFET的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。由于加上了衬偏电压的缘故，即会引起若干影响器件性能的现象和问题，这就是衬偏效应（衬偏调制效应），又称为MOSFET的体效应。

MOSFET的衬偏调制效应，亦称衬偏效应或MOSFET的体效应，涉及MOSFET的运作原理与IC设计。MOSFET依靠沟道导电，沟道与衬底形成场感应pn结。在MOSFET及其IC运行时，该场感应pn结需保持存在。然而，对于MOS-IC而言，各MOSFET的衬底电位时刻变化。若不对器件衬底电位进行控制，场感应pn结及源-衬底pn结可能出现正偏。

衬偏电压的引入，实际上产生了一系列与器件性能相关的效应，即衬偏效应或MOSFET的体效应。这个电压的作用类似于JFET，通过控制沟道-衬底之间的场感应p-n结，调控输出电流IDS的大小。

pmos为什么没有体效应?

1、体效应是P-MOSFET中一个重要现象，其产生原因是衬底电压相对源极电压较低，导致沟道处的耗尽区宽度增加，从而使得阈值电压升高。如果衬底和源极电压相同，即直接短路，体效应将不复存在。N-MOSFET和P-MOSFET的结构有所不同。

2、体效应是因为衬底电压比源极电压更低之后导致沟道处的耗尽区宽度更宽从而导致阈值电压更高。如果说衬底的电压和源极的电压相同，那么就不存在体效应。PMOS的衬底是生长在NWell，因此Nwell可以独立提供一个电位去除体效应。

3、表现为耗尽层拓宽和阈值电压提升：体效应导致的阈值电压升高，直接影响了器件的开关速度和带宽。这些关键特性与器件的电荷控制密切相关。 衬偏效应的强度与衬底掺杂有关：在典型的CMOS工艺中，PMOS的衬偏效应比NMOS更强，因为高掺杂的n阱能更好地控制电压，与衬底的隔离更明显。