mos管低开启电压（低开启电压mos管型号3416）
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如何用万用表检测MOS管是好是坏?
对于N沟道MOS管，使用数字万用表置于二极管通断档位，黑表笔固定在S极，红表笔先接触G极，再连接D极，此时应显示导通。随后，红表笔固定在D极，黑表笔先接触G极，再返回S极，此时应不导通。此步骤需重复进行，确保MOS管的导通与截止状态。
用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
测试MOS管是否烧坏，通常使用指针式万用表，设置为欧姆R×10K档，此时电压可达5V，其中红笔连接负电位，黑笔连接正电位。检测步骤如下：首先，将红笔连接MOS的源极S，黑笔连接MOS的漏极，如果表针指示为无穷大，则说明没有漏电现象，反之则可能存在漏电。
耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗
1、耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗 对的 问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。
2、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
3、首先，它们的栅极电压特性不同。增强型MOS管（PMOS）在栅极与衬底间未加电压时，不存在导电沟道，其阈值电压小于0；而耗尽型NMOS则相反，即使不加电压，栅极下方已存在沟道，阈值电压大于0。
4、对NMOS，增强型源极、漏极电压为0时关断，大于开启电压时导通 耗尽型：源极、漏极为0和正时开通，为负且小于截止电压时关断。
降低nmos开启电压的vt方法
1、降低nmos开启电压的vt方法： 增加栅极氧化层厚度：栅极氧化层是NMOS的顶部结构，它隔绝了栅极和NMOS的源极和漏极。增加氧化层厚度可以提高阈值电压（Vt）的压差，从而使开启电压有所降低。 改变掺杂浓度：在NMOS的源极和漏极区域，可以调整掺杂类型（例如P型掺杂）和掺杂浓度。
2、开启电压又称阈值电压，使得源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极的当压，标准的N沟道MOS管VT约为3~6V。
3、开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V，通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。直流输入电阻RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
p沟道mos管开启条件
1、P沟道MOS管是一种常用的场效应管，其开启条件为VGS电压为负压，电压的绝对值大于最低开启电压。在实际使用中，将控制信号接到G极，将S极接在VCC，实现对P-MOS管的控制。在S极和D极导通后，导通电阻Rds（on）非常小，只有几十毫欧，电流流通后，形成的压降也很小。
2、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
3、P沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。
mos管开启电压
1、最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。
2、mosfet的最大开启电压？是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
3、P沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。
4、区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
5、一般mos管允许的最高栅级电压是20v或30v。如果你选择的mos管允许的最高栅级电压是30v，无论是PMOS或NMOS，可以很方便控制开关。如果你选择的mos管允许的最高栅级电压是20v，建议选择NMOS，栅级电压用分压电阻控制在20V以下就可以控制开关。
6、AO3401AMOS管的开启电压门极阈值电压是-0.9V。开关条件是向门极施加触发电压，当漏极与源极导通时，MOS管即被打开。电路中，PWR_CTL口连接单片机的GPIO口，需内部或外部增加上拉。当PWR_CTL为高电平，三极管SS8050导通，MOS管AO3401AMOS导通，输出3V电压；反之，MOS管关断，无电压输出。
