当栅源电压等于开启电压（当栅源电压为零时,能工作在恒流区的场效应管有）

频道：其他 日期： 浏览：2

本文目录一览：

igbt的传输特性是什么?

IGBT的静态传输特性描述集电极电流Ic与栅射电压UGE之间的相互关系，UGE低于开启电压UGE（th）时，IGBT处于关断状态；当UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT开始导通，Ic与UGE基本是线性关系。加于栅射之间的最佳工作电压UGE可取15 V左右。

静态特性包括伏安特性、转移特性和开关特性。其中，伏安特性描述了IGBT的漏极电流与栅极电压之间的关系曲线，输出漏极电流受栅源电压控制，Ugs越高，Id越大。转移特性表明了输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线，当栅源电压小于开启电压Ugs（th）时，IGBT处于关断状态。

IGBT的主要特性包括：首先，它具有极高的耐压能力，适用于高压电力系统；其次，能承受大电流，为高功率设备如变频器、电动车和电力传输系统提供了可能；快速的开关速度使其适用于对频率要求高的应用；稳定的温度性能使其能在苛刻环境下稳定运行；最后，其驱动电路设计简单，便于控制。

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的静态特性包括伏安特性、转移特性和开关特性。伏安特性描述了以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系。输出漏极电流受栅源电压Ugs控制，Ugs越高，Id越大，与GTR的输出特性相似。IGBT在截止状态下的正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。

控制特性 IGBT具有良好的控制特性，其输入电压范围较宽，可实现电压控制调节，有效抑制电压波动。 可靠性 IGBT具有良好的可靠性，抗电磁干扰能力强、抗温度变化性能好和耐久性高等优点，可长期稳定运行。 结构特性 IGBT结构紧凑，体积小，降低整个系统的体积，有利于系统的自动化程度提高。

IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

增强型mosfet的沟道开启条件

1、增强型MOSFET的沟道开启条件是：对于N沟道增强型MOSFET，需要漏源电压大于0，同时栅源电压大于开启电压，且Vt大于0；而对于P沟道增强型MOSFET，则需要漏源电压小于0，同时栅源电压小于开启电压，且Vt小于0。详细解释如下：增强型MOSFET是一种电压控制型器件，其沟道的开启与关闭主要通过栅极电压来控制。

2、增强型MOSFET的工作条件则稍有不同。同样地，漏极D加上正电源，源极S接地。但是，当栅极G电压小于开启电压时，管子会截止；而当栅极G电压大于开启电压时，管子开始工作。熟悉了NPN型BJT管子的工作原理，自然也就容易掌握PNP型BJT管子的使用方法。

3、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

PMOS和NMOS为什么不能同时打开

1、PMOS和NMOS同时打开会造成器件短路，形成瞬态开路电流。NMOS管的主回路电流方向为D到S，导通条件为VGS，有一定的压差，如5V（G电位比S电位高）。PMOS管的主回路电流方向为S到D，导通条件为VGS，有一定的压差，如-5V（S电位比G电位高）。

2、PMOS和NMOS不能同时打开原因：在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。PMOS开启电压大概是指数值上相等。 而且PMOS的VGS也是负的，当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通。

3、不能工作。开启电压大概是指数值上相等。 而且PMOS的VGS也是负的，当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通。低电平时PMOS的VGS的绝对值很大，NMOS的VGS的绝对值很小，所以pmos导通，NMOS截止。PMOS接电源比较方便，出于功耗和速度的考量，所有的逻辑电路都是这样，比如NAND与非门。

4、原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGSUGS（th）才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。

5、高侧驱动的NMOS开关一般需要搭配栅极驱动芯片，其中集成电荷泵的芯片性能稳定，但成本略高；电容浮栅自举方式在PWM信号占空比有限制，性能稳定，成本较低。PMOS作为高侧电源开关时，电路简单，成本低，适用于对开通速度、导通内阻、过电流能力要求不高的场合。

请问,当Vgs(栅源间电压)=0v时,耗尽型mos管的等效电阻是多大?或此时,Id...

1、如果是n型mos管，当Vgs（栅源间电压）=0v时，在衬底中没有形成反型层，所以是在mos管的截止区，是没有Id的。

2、MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。

3、主要参数：Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。

4、FET的传输特性曲线通过栅-源电压Vgs控制漏极电流Id，Vds保持固定值。识别差异 图1：Vgs=0时Id=0.21A，Vgs0时Id增大；图2：Vgs=0时Id=5A，没有Vgs0情况。3种传输特性：图3为增强型，图1为耗尽型，图2为N沟道-JFET。米勒平台电压理解 米勒平台电压影响MOS管开关时间与损耗。

5、耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。电力MOSFET的结构小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。

6、绝缘栅型场效应管进一步分为增强型和耗尽型两种。耗尽型场效应管在正常情况下导通，其特点是在Vgs=0时，Id（漏极电流）=0，只有当Vgs增加到某个值时才开始导通，产生漏极电流。开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs称为开启电压。

VDMOS工作原理

电子将不再被吸引到沟道，不存在导电沟道，漏极与源极之间形成一个反偏PN结，这时耗尽层主要扩散在外延层一侧，可以 维持较高的阻断电压。

VDMOS 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管 VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关 应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要 应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音 响、汽车电器和电子镇流器等。

电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。

电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。