igbt驱动电压（igbt驱动电压跌落）
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igbt驱动浅析IGBT驱动
IGBT驱动是其在电力电子应用中至关重要的技术，这种集MOSFET和GTR优点的第三代器件，因其易于驱动、高开关频率和大电流容量而备受青睐。它广泛应用于变频电源、电机调速、UPS和逆变焊机等高效率、小体积设备中。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor） 绝缘栅双极型功率管 是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT驱动电路通常由多个部分组成，包括驱动器、保护元件和接口电路。驱动器负责发送控制信号，驱动IGBT的开关动作；保护元件则在电流超过安全阈值时启动，如过流保护或过热保护，以防止IGBT损坏。接口电路则确保了驱动器与IGBT模块之间的信号匹配，实现高效通信。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
IGBT模块的驱动电压一般是多少?
IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V，但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。
在电磁炉中的驱动电压通常为18V，IGBT管是电压控制型元件，其开启电压一般大于15V。接通电源，不按任何键，IGBT管G极电压应小于0.5V，最好是小于0.3V，正常时约为0V。
中压IGBT一般电压在1200-2500V，适用于新能源汽车、风力发电等领域，由于碳中和计划的持续推行以及新能源领域的高速发展，该领域是中国IGBT本土厂商未来主要发力的领域。
igbt驱动电压与输出电流的关系
线路阻抗导致电压降低。igbt驱动电压通常采用I-V曲线表示，映了IGBT输出电流与输出电压之间由于线路阻抗的影响，实际接收电压就会降低的关系。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线，输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。
IGBT，一种电压驱动的电子开关，通常需要电流来饱和导通。驱动电流峰值取决于栅极总电阻。计算公式为欧姆定律，即电流=驱动电压/驱动电阻。然而，在小阻值驱动回路中，实际测得的驱动电流通常小于计算值，这是由于回路中的杂散电感导致电流峰值一般为计算值的70%。
关于IGBT的电流和驱动电流之间的关系，有几个重要点需要注意： 门极电流：驱动电路产生的电流称为门极电流。这个电流的大小对于IGBT的开关速度和性能非常重要。较大的门极电流可以使IGBT更迅速地开启和关闭，但也需要更多的电能。因此，在设计中需要平衡开关速度和功耗。
静态特性下，当IGBT处于截止状态时，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。在无N+缓冲区的情况下，正反向阻断电压水平一致，加入N+缓冲区后，反向关断电压仅能达到几十伏水平，从而限制了IGBT的应用范围。
