二极管反偏电压（二极管反偏电压是什么）

本文目录一览：

• 1、什么叫二极管的正向偏置和反向偏置
• 2、晶体二极管的正极电位是-10v,负极电位-5v,则该晶体二极管处于什么偏置...
• 3、什么是反向偏压
• 4、二极管齐纳击穿为什么不大的反偏电压就能形成强大的内电场?
• 5、反偏最小电流和电压的关系

什么叫二极管的正向偏置和反向偏置

1、、在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。PN结正偏的含意：（1）、与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。简单来说：二极管有N，P两个极。

2、正向偏置就是二极管的正端接高电位，负端接低电位。反向偏置就是二极管正端接低电位，负端接高电位。单向导电性指的是二极管单向导通的特性。二极管正向偏置时导通电阻很小，导通压降0.7V左右（硅管）。相当于通路。二极管反向偏置截止，电阻趋于无穷到，相当于开路状态。

3、正向偏置和反向偏置是指二极管在外部电压作用下的导电特性。它们主要体现在二极管导通电压（也叫临界电压）的不同。正向偏置是指二极管在正向电压作用下导通的状态。在这种状态下，二极管的导电电流迅速增大，并且电压随着电流变化而变化。当外加正向电压大于二极管的导通电压时，二极管就会开始导电。

4、一个PN结就是二级管，正向偏置就是万用表测两次，其中一次电阻较小的是正向偏置，反之就是反向偏置。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

5、二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

6、在二极管的电极两端加一定大小的电压，其中p区接正极，n区接负极，使二极管正向导通，叫做二极管的正向偏置。反之，则叫做反向偏置。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

晶体二极管的正极电位是-10v,负极电位-5v,则该晶体二极管处于什么偏置...

正极电位是-10v，负极电位-5v，因为-5-10，所以二极管是反偏。二极管不叫正极负极，叫阳极阴极，正向导通的情况下，一般电压只有零点几伏，问题描述的压差是11v，而且是反向的，三种情况，稳压11v，二极管开路，二极管反接截止。

根据硅晶体二极管的特性，当正极电位高于负极电位时，即正向偏置时，二极管是导通的，可以通过电流；而当负极电位高于正极电位时，即反向偏置时，二极管是截止的，几乎不通过电流。

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。

什么是反向偏压

电路中有很多二极管、三极管等，这些元件都是由PN结构成的，加在PN上的正向电压会导通，反向加不导通，也就是反偏压。三极管参与导电的有两种载流子电子和空穴。他们的方向是相对的。三极管要放大，首要条件是发射结要正偏，集电结要反偏。

正偏和反偏是针对PN结而言的，所谓正偏也就是指外加电压的正极加在P区，负极在N区。反偏就相反。对于三极管，它的状态与两个结的正反偏有关系，比如发射结正偏，集电结反偏，三极管就可以处于放大状态。这个是大学二年级的知识，你们现在要学，也太夸张了，物理基础根本不够。

而为了让三极管可靠截止，需要加一个负的电压，就是反向偏压。

反向偏压：当负极和正极的电动势差足够大时，整流二极管的PN结将不通过电流。这种状态称为反向偏压。正向偏压：当正极和负极的电动势差足够小时，整流二极管的PN结将通过电流。这种状态称为正向偏压。

在光电效应中，正向电压和反向电压是用来控制光电管的电压，以调节光电子发射的行为。它们的区分主要体现在对电子流动的影响和电子发射的方向上： 正向电压（正偏压）：当光电管的阳极（阴极与阳极之间形成电场，促使光电子向阳极运动。在正向电压的作用下，光电子容易被电场加速，从而更容易流动到阳极。

二极管齐纳击穿为什么不大的反偏电压就能形成强大的内电场?

1、当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

2、在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

3、齐纳击穿则是当反向电压达到一定值时，势垒区内能建立起强大的电场，直接将价电子从共价键中释放出来，产生大量的电子-空穴对，从而形成较大的反向电流，实现击穿。齐纳击穿多发生在掺杂浓度较高的PN结中。

4、【答案】：当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏。

5、齐纳击穿发生在高掺杂浓度下，耗尽层宽度较窄，内部电场强度高，使共价键中的价电子被拉出成为自由电子，形成反向击穿电流，从而实现稳压功能，这就是齐纳击穿过程。与雪崩击穿相比，齐纳击穿所需的电压较低，因此，齐纳击穿电压远小于雪崩击穿电压，使得齐纳二极管（稳压管）在电压稳定应用中具有优势。

6、“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板电容器，内电场E=U/d，所以E很强，直接打断共价键。

反偏最小电流和电压的关系

1、设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V，则当其反偏电压值减少100mV时，反向电流的变化是基本不发生变化。 2） 二极管发生击穿后，在击穿区的曲线很陡，反向电流变化很大，但两端的电压降却几乎不变。 3） 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。 4） 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V。

2、这个提问不准确，应该问：二极管在反偏时，什么情况下会击穿？击穿时电流是不是急剧增大？回答如下：二极管在反向偏置时，常温，电压不超过其击穿点，电流很小；温度升高，电压虽不超过击穿点，电流增大，当温度升至接近最大允许结温时，电流急剧增大；常温，电压加大到击穿点，电流急剧增大。

3、pn结正向存在一个导通电压，反向存在一个击穿电压，所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻，即通过的电流很小，一旦高于导通电压，正向电流迅速增加；在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，当一旦高于击穿电压时，反向电流即迅速增加。