igbt导通电压和饱和电压（igbt的导通电压）
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igbt的静态参数
1、IGBT的静态参数是描述其稳态工作特性的关键指标，主要包括以下几个方面： **集电极-发射极阻断电压（VCES）**：在栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。这一参数决定了IGBT在关断状态下能承受的最大电压，超出此值可能导致器件击穿。
2、普赛斯 大功率IGBT静态参数测试系统 集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV，电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。
3、静态特性：IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。
4、IGBT的静态传输特性描述集电极电流Ic与栅射电压UGE之间的相互关系，UGE低于开启电压UGE（th）时，IGBT处于关断状态；当UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT开始导通，Ic与UGE基本是线性关系。加于栅射之间的最佳工作电压UGE可取15 V左右。
5、最好是小于0.3V，正常时约为0V。如果待修理的电磁炉保险管已烧毁，那么基本上IGBT管也已击穿短路，试机拆下发热盘检查待机时G极电压，如高于0.5V，一定不能装上发热线盘试机，否则会损坏IGBT管，这时应检查运算放大器（LM339）、功率驱动管（8050、8550对管）、18v稳压管、偏置电路是否正常。
6、静态特性包括伏安特性、转移特性和开关特性。其中，伏安特性描述了IGBT的漏极电流与栅极电压之间的关系曲线，输出漏极电流受栅源电压控制，Ugs越高，Id越大。转移特性表明了输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线，当栅源电压小于开启电压Ugs（th）时，IGBT处于关断状态。
什么是IGBT饱和压降?
igbt饱和压降是在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。
在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴（电流轴）的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度。
管压降可以理解为电流通过时两端的电压 例如二极管正向导通时的管压降硅管为0.7V锗管为0.3V 变频器中的IGBT模块触发导通时，同样会有管压降。压降乘以电流就是IGBT模块的发热耗散。相同的电流下，管压降越大，发热越大，管压降越小，发热越小。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT的导通和截止条件是什么?
1、IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通； 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。
2、IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。
3、IGBT，既具备了CMOS管的高输入电阻，又具备了双极型晶体管的低导通压降。如果想正常可靠工作，不能使用脉冲。应该是：G-S加正电压导通，G-S加负电压截止。
4、开关管上（三极管、MOS管、IGBT）压降小于0.3V时为导通；开关管上（三极管、MOS管、IGBT）压降接近电源电压时为截止。
5、IGBT的工作原理涉及其关键组成部分的控制和安全操作。如图1所示，IGBT的运作基于MOSFET和PNP晶体管的协同作用。当栅极与发射极之间施加正电压时，MOSFET导通，PNP晶体管的集电极与基极之间形成低阻通道，使得晶体管工作。反之，零电压则使得MOSFET截止，中断基极电流，晶体管进入截止状态。
igbt反向二极管的正向特性
正向导通特性：当正向电压施加在IGBT模块上，反向二极管的正向特性使得电流可以从P区流向N区，实现正向导通，正向导通时，反向二极管的压降较低，几乎可以忽略不计。
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。判断极性 首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块CECE2之间以及栅极G与EE2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。以德国eupec25A/1200V六相IGBT模块为例，（参见附图）。
IGBT的导通和截止的条件是什么?
IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通； 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。
IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。
正向电压加在PN结上，PN结导通，反向电压加上后，PN结截止； 二极管的基本结构也是一个PN结，存在导通电压的问题，即正向电压大于一个值的时候才会导通，否则就截止，一般硅二极管为0.7V，锗二极管为0.2V； 三极管可以理解为两个PN结，导通的条件可以参考三极管的资料，基础还是PN结。 希望可以帮助到你。
导通条件：正极电压大于负极电压 ，有触发脉冲。两个条件缺一不可。截止条件：正极电压低于负极电压或是低于维持维持电流就关断。
