晶体管导通电压（晶体管如何导通）
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晶体管导通和关断时两断的电压为多大?
绝缘栅双极型晶体管，是电动汽车电机控制器内，把高压直流转换为三相交流的开关元件。
晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。
IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通； 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。
一般正负5V；如果让IGBT的导通状态是出于饱和导通，电压一般是正负15V。guli123142 | 2012-05-18 0 2 一般的IGBT是正电压开通，零电压关断，一般情况下，门极开通电压会给+15V，为了可靠关断，关断电压会给一个负值，大约-10V左右即可。
mos管导通条件
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
晶体管be间的导通电压0.7V,只要加在be间的电压大于0.7V,那么晶体管就...
如果我给它加1V的电压，导通后be间的电压是0.7V或者略高一点，必要是你需要串联电阻来分压。因为晶体管每个PN结的反向阻挡层（结电场）的破坏电压就只有0.7V左右，超过这个电压，PN结就认为是导通了。
按环路电压定义电压降等于电压升ui=u（Rb）+u（be），你的公式不正确。0.7V只是硅三极管的饱和电压，0.3V是导通电压，ui小于0.3V三极管截止，大于0.7V三极管饱和，Rb决定了静态工作点。信号源提供的电流是交流信号，用交流回路分析，与直流回路只是在电流上的叠加，不要混。
书上写的肯定错了，不在就是你说的错了。一般不会把电源并到BE结的，一般正常情况下只是加一个正象导通的偏压，不会太大，一般能达到饱合导通就可以了。也就是比0.7V大一些就可以了。一般电压是加到CE结上的。
是硅高速开关二极管，它的正向结电压受温度影响，并不是恒定值，一般在0.65V-0.7V范围内。如果串联，串联越多偏差越大，应以实际测量值为准。测量变压器，这法子不行。还是买或借块万用表，最便宜的才伍元钱。
左图，箭头向外的是硅管，导通条件是BE之间为正0.7V.图中B为0.5V，E为0.3V，即0.2V，是正偏，但小于0.7V，故晶体管工作在截止状态。下面题，极对数为1，属于2级电机，频率50赫兹情况下，每分钟3000转，2940除以3000，就等于差率。
