击穿电压开启电压（击穿电压原理）

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igbt击穿电压最低多少

小于0.5V。在电磁炉中的驱动电压通常为18V，IGBT管是电压控制型元件，其开启电压一般大于15V。接通电源，不按任何键，IGBT管G极电压应小于0.5V。

低压IGBT：耐压通常在600V以下，适用于较低电压的应用。中压IGBT：耐压范围约为600V至1200V，常用于工业控制和电源转换设备中。高压IGBT：耐压可以达到1700V、3300V甚至更高，用于高压电力传输和大型工业设备中。

一般常用的IGBT耐压有1700V和1200V的，这个值应该跟IGBT的续流二极管的反向击穿电压相关。IGBT的型号中均有标识，例如英飞凌IGBT：FF300R170KE3中的170就代表1700V的意思。

理想二极管有什么特点

1、理想二极管的特点 （1）门槛电压 理想二极管没有阈值电压。一旦在二极管上施加任何正向电压，它将立即在其结之间传导电流。（2）正向电流 理想二极管在端子上施加任何正向电压时都包括无限的正向电流。这是由于理想条件，二极管的内部电阻将为零。理想的二极管完全没有内部电阻。

2、理想二极管的特点包括： 单向导电性：理想二极管仅在正向偏置时导电。

3、理想二极管有什么特点如下：二极管的特性是单向导电性，在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。

4、理想二极管是一种理论上的电子元件。其主要特点是在正向偏压下具有极低的导通电阻，能够允许电流顺畅通过，而在反向偏压下则具有极高的电阻，几乎完全阻断电流。这种特性使得理想二极管在电路中起着开关的作用。当二极管处于正向时，可视为开启状态，当处于反向时则处于关闭状态。

普通二极管的正向电压和反向电压有啥区别啊?正向电压的死区电压和导通电...

1、不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

2、若是正向电压，但正向电压小于二极管的死区电压，则说明二极管仍然处于截止状态；只有当正向电压大于死区电压时，二极管才能导通。

3、理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。但是实际的二极管，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

MOS管开关电路?

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。

开关管是MOS管和三极管的一种用途，即用于控制电路导通和关断。区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。

N-MOS开关电路 这里需要注意的是S极是接在GND上的，而不能与D极对调。PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路 总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。

IRF1010参数

1、IRF1010 N沟道场效应管基本参数如下；TO-220封装；击穿电压Vdss：55V；开启电压Vgs（th）：2-4V；跨导S Gfs：≥69；标称电流 ID：75A；标称功率PD：150W ；不同生产厂家的参数有一定的差别。

2、IRF1010是场效应管。IR的HEXFET功率场效应管IRF1010采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF1010这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1010成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。IRF1010 特性 先进的工艺技术。贴片安装（IRF1010ES、IRF1010NS）。

3、主要是电流太小，不能用电磁炉这个管子代换。

4、IRF1010E的数据是60V，84A，12mΩ，而75N75是75V，75A，15mΩ。两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

晶体管时间继电器的工作原理是什么?

1、基本工作原理是利用电容电压不能突变而只能缓慢升高的特性来获得延时的。晶体管时间继电器是目前时间继电器中发展快、品种数量较多、应用较广的一种。它和其他的时间继电器一样，由三个基本环节组成，如图1所示。

2、时间继电器（time relay）是指当加入（或去掉）输入的动作信号后，其输出电路需经过规定的准确时间才产生跳跃式变化（或触头动作）的一种继电器。是一种使用在较低的电压或较小电流的电路上，用来接通或切断较高电压、较大电流的电路的电气元件。

3、晶体管时间继电器是由稳压电源、分压器、延时电路、触发器和执行机构五部分组成，接通电源后，电路中由电位器、钽电容组成的R、C延时电路立即充电经一段延迟时间后，延时电路中钽电容C的电压略高于触发器的门限电位，触发器被触发，推动电磁继电器动作。