mos管开启电压电压（mos管开启电压与控制电压）

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元器件-开关管

深入探讨：AO3401AMOS管的开关特性与电路设计/AO3401AMOS管作为电子元件中的关键开关管，其开启过程备受关注。

所以开关管没有专用的电路符号，它的电路符号也是三极管或场效应管的电路符号，此外，还还有开关二极管，也是指导通与截止的状态转变速度快，损耗小的二极管。开关管也不能算是专用的元器件。只不过是更适用于开关电路的器件。

Proteus开关元器件名称有继电器、晶体管、开关、多路选择器、光电继电器、传感器开关等等。继电器 继电器是一种常见的开关元器件，通过控制电磁线圈的通断来实现开闭触点的转换，用于控制高电压和大电流的开关操作。晶体管 晶体管是一种半导体器件，具有开关特性。

电子开关的话可以是三极管、开关二极管、晶闸管，如果放宽点用继电器或者光电耦合器可以实现间接控制，如果有特殊需要可以使用光敏电阻、特殊敏感电阻等与上述元件配合形成一个开关。

关于mos管的开启电压问题

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。

电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。

最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。

mos管gs开启电压最大最小

1、最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。

2、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

3、VGS（th）是开启电压，含义是在GS间加上这个电压，MOS管的DS之间就可以有电流流过，不再是截至状态。由于每个管子这个电压存在区别，所以制造商规定了最小值和最大值，就是说合格品的开启电压都在这个范围以内。栅极电压在其达到栅极击穿电压之前管子都属于正常工作范围，只是分截止和导通的不同状态而已。

MOS管的参数怎么读懂

开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS（ON） 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS（ON）时会变大是很重要的。

从单一功能的集成稳压器件和DC/DC转换器，到整合了DC/DC、LDO、电池充放电管理、PWM控制器、节能控制、功率MOSFET等多功能的电源管理IC，电源IC的应用范围和功能不断扩展。

要想看懂图纸首先你得具备电子元件基础常识，就是认识这些元器件，二极管 三极管 MOS管 电阻电容电感 芯片等，了解这些元器件外观、作用和工作原理，常用型号以及这些元器件在电路图中的标注符号，这是基础，没有这些你是无论如何也不会看懂电路图的。

MOS管如何使用?

在焊接时，务必确保烙铁接地，且遵循正确的焊接顺序和温度控制，以防止损坏。对于VMOS管，须配备适当散热器，且并联使用时需注意寄生振荡问题。 输入阻抗的稳定性和防潮措施对于MOS管的性能至关重要，特别是对于温度敏感的器件。四引脚MOS的基板引线应接地，光敏封装应避免光照。

将单片机的IO口连接至NMOS管的G端，即可控制灯泡的开关。当IO口输出高电平，NMOS等效为闭合开关，灯泡点亮；输出低电平时，NMOS等效为开关断开，灯泡熄灭。如此操作，即实现单片机通过IO口控制功率器件的功能。选择合适的NMOS管时，有四个重要参数需要关注：封装、VGSTH、Rdson与Cgs。

使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。

MOS管的开启电压是什么,是指G极的电压吗。。。如果是哪需要多少V_百度...

1、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。

2、开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

3、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

4、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。

5、那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。

6、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。